1993年，AT&T Bell实验室的P.J.Lemaire等人首次引入了掺锗石英光纤材料的载氢增敏技术。掺锗3mol%的光纤被放入气压为2.0~76MPa（典型值为15MPa），温度为20~75oC的氢气中，这种方法将氢气以分子形态扩散入光纤的芯区。载氢光纤在收到紫外光照射的时候或者加热时将引起氢气的与掺锗石英玻璃之间的化学反应，即H2分子在Si-O-Ge区发生变化，形成与折射率有关的Ge-OH，Si-OH，Ge-H，Si-H等化学键和缺氧锗缺陷中心，从而提高光纤材料的光致折射率变化，可以使任何类型的掺锗石英光纤材料的光敏性提高1~2个数量级，并在其上写入高反射率的光栅。这样可使折射率变化Δn比原来的变化提高两个数量级，可达~5.9×10-3。另外，也可以对光纤载氘来达到光纤增强光敏性的目的。
我公司生产光纤光栅制备增敏系统可以对光纤装载后进行高压载氢和加热。